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IRF9Z20, SiHF9Z20
Vishay Siliconix
1000
V GS = 0 V, f = 1 MHz
2.0
80 μs Pulse Test
C iss = C gs + C gd , C ds Shorted
800
600
C rss = C gd
C oss = C ds + C gs C gd / (C gs + C gd )
≈ C ds + C gd
C iss
1.6
1.2
400
C oss
0.8
V GS = - 10 V
200
C rss
0.4
V GS = - 20 V
0
1
2
5
10
2
5
10 2
0.0
0
8
16
24
32
40
90121_10
Negative V DS, Drain-to-Source Voltage (V)
90121_12
Negative I D , Drain Current (A)
Fig. 9 - Typical Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage
Fig. 11 - Typical On-Resistance vs. Drain Current
20
I D = - 9.7 A
10
16
12
8
4
V SD = - 40 V
For test circuit
8
6
4
2
IRF9Z20, SiHF9Z20
IRF9Z22, SiHF9Z22
0
see figure 17
0
0
8
16
24
32
40
25
50
75
100
125
150
90121_11
Q G , Total Gate Charge (nC)
90121_13
T C , Case Temperature (°C)
Fig. 10 - Typical Gate Charge vs. Gate-to-Source Voltage
Document Number: 90121
S11-0511-Rev. B, 21-Mar-11
Fig. 12 - Maximum Drain Current vs. Case Temperature
www.vishay.com
5
This datasheet is subject to change without notice.
THE PRODUCT DESCRIBED HEREIN AND THIS DATASHEET ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
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